На основании имеющейся полярной диаграммы нагрузок, действующих на шейку, можно построить диаграмму предполагаемого износа шатунной шейки. Принимают следующие допущения:
- износ шейки прямо пропорционален действующей силе;
-действие силы распространяется от точки ее приложения по дуге в 60˚, в обе стороны по поверхности шейки.
Способ построения состоит в следующем: в т.О проводят окружность произвольного радиуса и делят ее на равные части. Из т.А окружности откладывают отрезок
и т.д. От каждой точки А1, А2…Аn (n=24) в обе стороны по поверхности шейки откладываем угол 60˚. Затем строят новую окружность и делят ее на такое же количество частей и в определенном масштабе в направлении к центру окружности откладывают суммарную толщину полос; соединяя полученные точки определяем диаграмму предполагаемого износа шейки.
Вид предполагаемого износа представлен на листе 1, а его построение и приложении 2; при этом на диаметральных линиях диаграммы указаны суммарные толщины.
Полученная диаграмма дает возможность определить положение масляного отверстия – самое не нагруженное место шейки. Для нашего расчета
.
Информация по теме:
Технические условия на сборку
При установке и регулировании подшипников и шестерен редуктора конические роликовые подшипники вала ведущей конической шестерни установите с предварительным натягом. Крутящий момент, необходимый для проворачивания вала ведущей шестерни в подшипниках, должен быть 0,78…1,57 Н*м(0,08…0,16кгс*м). Замер ...
Показатели работы направления
В данном разделе мы рассмотрим некоторые показатели работы Мурманского отделения. К ним отнесем следующие, оказывающие на величину отделенческих показателей составляющие: план погрузки, норма выгрузки, участковая скорость, коэффициент порожнего пробега, коэффициент участковой скорости, вагонное пле ...
Разработка ультразвукового дальномера
При разработке ультразвукового парковочного дальномера (УЗД) необходимо выполнить следующие условия: - детектируемое расстояние от 0.25м до 2м; - минимальная погрешность измерения дистанции; - питающее напряжение от 10В до 15В; - невосприимчивость к перепадам питающего напряжения; В основе разрабат ...